如何看內(nèi)存運(yùn)行頻率

一種參數(shù)，一般存儲(chǔ)在內(nèi)存條的SPD上。2-2-2-8 4個(gè)數(shù)字的含義依次為：CAS Latency（簡(jiǎn)稱(chēng)CL值）內(nèi)存CAS延遲時(shí)間，他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會(huì)把CL值印在內(nèi)存條的標(biāo)簽上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時(shí)間。Row－precharge Delay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預(yù)充電時(shí)間。Row－active Delay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。這是玩家最關(guān)注的4項(xiàng)時(shí)序調(diào)節(jié)，在大部分主板的BIOS中可以設(shè)定，內(nèi)存模組廠商也有計(jì)劃的推出了低于JEDEC認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的低延遲型超頻內(nèi)存模組，在同樣頻率設(shè)定下，最低“2-2-2-5”這種序列時(shí)序的內(nèi)存模組確實(shí)能夠帶來(lái)比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能，幅度在3至5個(gè)百分點(diǎn)。萊垍頭條

在一些技術(shù)文章里介紹內(nèi)存設(shè)置時(shí)序參數(shù)時(shí)，一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，現(xiàn)在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個(gè)參數(shù)及BIOS設(shè)置中影響內(nèi)存性能的其它參數(shù)逐一給大家作一介紹：萊垍頭條

一、內(nèi)存延遲時(shí)序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設(shè)置頭條萊垍

首先，需要在BIOS中打開(kāi)手動(dòng)設(shè)置，在BIOS設(shè)置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS設(shè)置中可能出現(xiàn)的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，將其值設(shè)為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項(xiàng)有：On/Off或Enable/Disable），如果要調(diào)整內(nèi)存時(shí)序，應(yīng)該先打開(kāi)手動(dòng)設(shè)置，之后會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)詳細(xì)的時(shí)序參數(shù)列表：萊垍頭條

Command Per Clock(CPC)萊垍頭條

可選的設(shè)置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。萊垍頭條

Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進(jìn)行P-Bank的選擇（通過(guò)DIMM上CS片選信號(hào)進(jìn)行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時(shí)鐘周期。萊垍頭條

顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過(guò)短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間，才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分主板都會(huì)自動(dòng)設(shè)置這個(gè)參數(shù)。萊垍頭條

該參數(shù)的默認(rèn)值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設(shè)置為Enable(1T)。萊垍頭條

CAS Latency Control(tCL)垍頭條萊

可選的設(shè)置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。萊垍頭條

一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“3-4-4-8”這一類(lèi)的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)3就是第1個(gè)參數(shù)，即CL參數(shù)。萊垍頭條

CAS Latency Control(也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內(nèi)存讀寫(xiě)操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說(shuō)是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。萊垍頭條

內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開(kāi)始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開(kāi)始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過(guò)CAS訪(fǎng)問(wèn)所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開(kāi)始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。萊垍頭條

這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過(guò)程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí)，如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。萊垍頭條

該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫(xiě)操作。CL值為2為會(huì)獲得最佳的性能，而CL值為3可以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能無(wú)法設(shè)為3。萊垍頭條

RAS# to CAS# Delay(tRCD)萊垍頭條

可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。條萊垍頭

該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù)，即第1個(gè)4。RAS# to CAS# Delay(也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫(xiě)或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能。建議該值設(shè)置為3或2，但如果該值設(shè)置太低，同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。該值為4時(shí)，系統(tǒng)將處于最穩(wěn)定的狀態(tài)，而該值為5，則太保守。頭條萊垍

如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。萊垍頭條

Min RAS# Active Timing(tRAS)條萊垍頭

可選的設(shè)置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。萊垍頭條

該值就是該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù)，即8。Min RAS# Active Time (也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在5－10之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說(shuō)越大或越小就越好。萊垍頭條

如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o(wú)謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無(wú)法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。如果你的CAS latency的值為2，tRCD的值為3，則最佳的tRAS值應(yīng)該設(shè)置為7個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能，應(yīng)盡可能降低tRAS的值，但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī)，則應(yīng)該增大tRAS的值。萊垍頭條

如果使用DFI的主板，則tRAS值建議使用00，或者5-10之間的值。萊垍頭條

Row Precharge Timing(tRP)萊垍頭條

可選的設(shè)置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。萊垍頭條

該值就是“3-4-4-8”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù)，即第2個(gè)4。Row Precharge Timing (也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫(xiě)速度就越快。萊垍頭條

tRP用來(lái)設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。tRP參數(shù)設(shè)置太長(zhǎng)會(huì)導(dǎo)致所有的行激活延遲過(guò)長(zhǎng)，設(shè)為2可以減少預(yù)充電時(shí)間，從而更快地激活下一行。然而，想要把tRP設(shè)為2對(duì)大多數(shù)內(nèi)存都是個(gè)很高的要求，可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失，不能順利地完成讀寫(xiě)操作。對(duì)于桌面計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，推薦預(yù)充電參數(shù)的值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫(xiě)性能，從而降低性能。只有在tRP值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。萊垍頭條

如果使用DFI的主板，則tRP值建議2-5之間的值。值為2將獲取最高的性能，該值為4將在超頻時(shí)獲取最佳的穩(wěn)定性，同樣的而該值為5，則太保守。大部分內(nèi)存都無(wú)法使用2的值，需要超頻才可以達(dá)到該參數(shù)。萊垍頭條

Row Cycle Time(tRC)垍頭條萊

可選的設(shè)置：Auto，7-22，步幅值1。萊垍頭條

Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期時(shí)間”，它是包括行單元預(yù)充電到激活在內(nèi)的整個(gè)過(guò)程所需要的最小的時(shí)鐘周期數(shù)。萊垍頭條

其計(jì)算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，設(shè)置該參數(shù)之前，你應(yīng)該明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，會(huì)因在完成整個(gè)時(shí)鐘周期后激活新的地址而等待無(wú)謂的延時(shí)，而降低性能。然后一旦該值設(shè)置過(guò)小，在被激活的行單元被充分充電之前，新的周期就可以被初始化。萊垍頭條

在這種情況下，仍會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失和損壞。因此，最好根據(jù)tRC = tRAS + tRP進(jìn)行設(shè)置，如果你的內(nèi)存模塊的tRAS值是7個(gè)時(shí)鐘周期，而tRP的值為4個(gè)時(shí)鐘周期，則理想的tRC的值應(yīng)當(dāng)設(shè)置為11個(gè)時(shí)鐘周期。條萊垍頭

Row Refresh Cycle Time(tRFC)垍頭條萊

可選的設(shè)置：Auto，9-24，步幅值1。條萊垍頭

Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期時(shí)間”，它是行單元刷新所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。該值也表示向相同的bank中的另一個(gè)行單元兩次發(fā)送刷新指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。萊垍頭條

如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能達(dá)到9，而10為最佳設(shè)置，17-19是建議值。建議從17開(kāi)始依次遞減來(lái)測(cè)試該值。大多數(shù)穩(wěn)定值為tRC加上2-4個(gè)時(shí)鐘周期。萊垍頭條

Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)頭條萊垍

可選的設(shè)置：Auto， 0-7，每級(jí)以1的步幅遞增。垍頭條萊

Row to Row Delay，也被稱(chēng)為RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行單元到行單元的延時(shí)"。該值也表示向相同的bank中的同一個(gè)行單元兩次發(fā)送激活指令(即：REF指令)之間的時(shí)間間隔。tRRD值越小越好。頭條萊垍

延遲越低，表示下一個(gè)bank能更快地被激活，進(jìn)行讀寫(xiě)操作。然而，由于需要一定量的數(shù)據(jù)，太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。于桌面計(jì)算機(jī)來(lái)說(shuō)，推薦tRRD值設(shè)定為2個(gè)時(shí)鐘周期，這是最佳的設(shè)置，此時(shí)的數(shù)據(jù)膨脹可以忽視。如果比此值低，則會(huì)因?yàn)槊看渭せ钕噜従o接著的bank將需要1個(gè)時(shí)鐘周期，這將影響DDR內(nèi)存的讀寫(xiě)性能，從而降低性能。只有在tRRD值為2而出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況下，將此值設(shè)定為3個(gè)時(shí)鐘周期。萊垍頭條

如果使用DFI的主板，則tRRD值為00是最佳性能參數(shù)，4時(shí)能達(dá)到最高的頻率。通常2是最合適的值，00看上去很奇怪，但有人也能穩(wěn)定運(yùn)行在00-260MHz。條萊垍頭

Write Recovery Time(tWR)萊垍頭條

可選的設(shè)置：Auto，2，3。萊垍頭條

Write Recovery Time (tWD)，表示“寫(xiě)恢復(fù)延時(shí)”。該值說(shuō)明在一個(gè)激活的bank中完成有效的寫(xiě)操作及預(yù)充電前，必須等待多少個(gè)時(shí)鐘周期。這段必須的時(shí)鐘周期用來(lái)確保在預(yù)充電發(fā)生前，寫(xiě)緩沖中的數(shù)據(jù)可以被寫(xiě)進(jìn)內(nèi)存單元中。同樣的，過(guò)低的tWD雖然提高了系統(tǒng)性能，但可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)還未被正確寫(xiě)入到內(nèi)存單元中，就發(fā)生了預(yù)充電操作，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失及損壞。條萊垍頭

如果你使用的是DDR200和266的內(nèi)存，建議將tWR值設(shè)為2；如果使用或DDR400，則將tWD值設(shè)為3。如果使用DFI的主板，則tWR值建議為2。垍頭條萊

Write to Read Delay(tWTR)垍頭條萊

可選的設(shè)置：Auto，1，2。萊垍頭條

Write to Read Delay (tWTR)，表示“讀到寫(xiě)延時(shí)”。三星公司稱(chēng)其為“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的數(shù)據(jù)進(jìn)入讀指令。它設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊中的同一個(gè)單元中，在最后一次有效的寫(xiě)操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。萊垍頭條

tWTR值為2在高時(shí)鐘頻率的情況下，降低了讀性能，但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。這種情況下，也使得內(nèi)存芯片運(yùn)行于高速度下。換句話(huà)說(shuō)，增加tWTR值，可以讓內(nèi)容模塊運(yùn)行于比其默認(rèn)速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，則將tWTR值設(shè)為1；如果使用DDR400，則也可試著將tWTR的值設(shè)為1，如果系統(tǒng)不穩(wěn)定，則改為2。萊垍頭條

Refresh Period(tREF)萊垍頭條

可選的設(shè)置：Auto， 0032-4708，其步進(jìn)值非固定。頭條萊垍

Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指內(nèi)存模塊的刷新周期。萊垍頭條

先請(qǐng)看不同的參數(shù)在相同的內(nèi)存下所對(duì)應(yīng)的刷新周期(單位：微秒，即：一百萬(wàn)分之一秒)。?號(hào)在這里表示該刷新周期尚無(wú)對(duì)應(yīng)的準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。萊垍頭條

1552= 100mhz　　2064= 133mhz　　2592= 166mhz　　3120= 200mhz　　---------------------垍頭條萊

3632= 100mhz　　4128= 133mhz萊垍頭條

4672= 166mhz萊垍頭條

0064= 200mhz萊垍頭條

---------------------萊垍頭條

0776= 100mhz　　1032= 133mhz　　1296= 166mhz　　1560= 200mhz萊垍頭條

---------------------萊垍頭條

1816= 100mhz　　2064= 133mhz　　2336= 166mhz　　0032= 200mhz　　---------------------垍頭條萊

0388= 100mhz(15.6us)萊垍頭條

0516= 133mhz(15.6us)頭條萊垍

0648= 166mhz(15.6us)萊垍頭條

0780= 200mhz(15.6us)頭條萊垍

---------------------萊垍頭條

0908= 100mhz(7.8us)萊垍頭條

1032= 133mhz(7.8us)頭條萊垍

1168= 166mhz(7.8us)萊垍頭條

0016= 200mhz(7.8us)垍頭條萊

---------------------萊垍頭條

1536= 100mhz(3.9us)頭條萊垍

2048= 133mhz(3.9us)頭條萊垍

2560= 166mhz(3.9us)萊垍頭條

3072= 200mhz(3.9us)萊垍頭條

---------------------條萊垍頭

3684= 100mhz(1.95us)萊垍頭條

4196= 133mhz(1.95us)萊垍頭條

4708= 166mhz(1.95us)萊垍頭條

0128= 200mhz(1.95us)萊垍頭條

如果采用Auto選項(xiàng)，主板BIOS將會(huì)查詢(xún)內(nèi)存上的一個(gè)很小的、名為“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存儲(chǔ)了內(nèi)存條的各種相關(guān)工作參數(shù)等信息，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)根據(jù)SPD中的數(shù)據(jù)中最保守的設(shè)置來(lái)確定內(nèi)存的運(yùn)行參數(shù)。如過(guò)要追求最優(yōu)的性能，則需手動(dòng)設(shè)置刷新周期的參數(shù)。一般說(shuō)來(lái)，15.6us適用于基于128兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為16MB的內(nèi)存），而7.8us適用于基于256兆位內(nèi)存芯片的內(nèi)存（即單顆容量為32MB的內(nèi)存）。注意，如果tREF刷新周期設(shè)置不當(dāng)，將會(huì)導(dǎo)致內(nèi)存單元丟失其數(shù)據(jù)。萊垍頭條

另外根據(jù)其他的資料顯示，內(nèi)存存儲(chǔ)每一個(gè)bit，都需要定期的刷新來(lái)充電。不及時(shí)充電會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)的丟失。DRAM實(shí)際上就是電容器，最小的存儲(chǔ)單位是bit。陣列中的每個(gè)bit都能被隨機(jī)地訪(fǎng)問(wèn)。但如果不充電，數(shù)據(jù)只能保存很短的時(shí)間。因此我們必須每隔15.6us就刷新一行。每次刷新時(shí)數(shù)據(jù)就被重寫(xiě)一次。正是這個(gè)原因DRAM也被稱(chēng)為非永久性存儲(chǔ)器。一般通過(guò)同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO內(nèi)存每刷新一行耗費(fèi)15.6us的時(shí)間。因此一個(gè)2Kb的內(nèi)存每列的刷新時(shí)間為15.6?s x2048行=32ms。萊垍頭條

怎樣看內(nèi)存運(yùn)行頻率

查看CPU的運(yùn)行頻率有以下三種方法：

1 、首先要靠windows系統(tǒng)自身的工具盒方法來(lái)查看內(nèi)存頻率。按下WIN鍵+R組合鍵，打開(kāi)運(yùn)行，輸入cmd,回車(chē)，進(jìn)入命令提示符窗口，在其中輸入wmic memorychip。注意，wmic和memorychip兩個(gè)單詞之間的空格不要忽略哦。你會(huì)查看到關(guān)于內(nèi)存非常詳細(xì)的信息，包括頻率，還包括內(nèi)存?zhèn)€數(shù)、容量、位寬、描述等等。

2 、利用CPU-Z軟件查看內(nèi)存頻率。下載一個(gè)CPU-Z軟件，安安裝完畢后打開(kāi)CPU-Z軟件，單擊菜單欄中的“內(nèi)存”，就可以看到關(guān)于系統(tǒng)內(nèi)存的信息了，內(nèi)存頻率也包含其間。

3 、魯大師的安裝類(lèi)似于CPU-Z。下載安裝魯大師之后打開(kāi)魯大師軟件，可以看到電腦概覽中清晰的顯示了各個(gè)硬件的具體信息，其中包含了內(nèi)存的頻率。

怎么看內(nèi)存條運(yùn)行頻率

1、任務(wù)管理器是不可以查看到內(nèi)存條的具體型號(hào)的，如果不借助第三方工具只能查看到一些基本信息，如內(nèi)存大小等；

2、如果想查看具體內(nèi)特條型號(hào)，一個(gè)就是直接打開(kāi)電腦機(jī)箱或者筆記本后蓋殼查看；

3、還有就是借助第三方工具如：CPU-Z這個(gè)軟件，可以查看具體的CPU和內(nèi)存的信息，包括電壓，型號(hào)，總線(xiàn)頻率，內(nèi)存頻率，容量，品牌等信息。

怎么看內(nèi)存當(dāng)前運(yùn)行頻率

查看CPU運(yùn)行頻率直接桌面上按組合鍵Ctrl + Shift + Del ,調(diào)出“任務(wù)管理器”窗口,主要硬件CPU、內(nèi)存、硬盤(pán)的使用率。

其他方法/步驟

1.首先，打開(kāi)軟件CPU-Z。沒(méi)有這個(gè)軟件的可以自己去網(wǎng)上下載一個(gè)，不要問(wèn)我怎么下（最好下載漢化的）

2.在這里，你可以看到當(dāng)前CPU的運(yùn)行頻率。這個(gè)頻率不是始終一樣的，而是根據(jù)當(dāng)前的電腦環(huán)境，有所波動(dòng)的。

3.通過(guò)這個(gè)可以看出當(dāng)前電腦CPU的頻率。

4.CPU-Z這個(gè)軟件還能查詢(xún)當(dāng)前電腦內(nèi)存條信息。方便的知道內(nèi)存容量，以便后續(xù)升級(jí)。

5.CPU還有個(gè)重要的要素就是緩存，一般而言，緩存越大，能夠儲(chǔ)存的東西就越多，速度也會(huì)越快。

6.這個(gè)軟件還有一些比較實(shí)用的功能，比如查看顯卡信息等。要查看顯卡，也可下載GPU-Z這軟件喔。

拓展資料

CPU頻率，就是CPU的時(shí)鐘頻率，簡(jiǎn)單說(shuō)是CPU運(yùn)算時(shí)的工作的頻率（1秒內(nèi)發(fā)生的同步脈沖數(shù)）的簡(jiǎn)稱(chēng)。單位是Hz。它決定計(jì)算機(jī)的運(yùn)行速度，隨著計(jì)算機(jī)的發(fā)展，主頻由過(guò)去MHZ發(fā)展到了當(dāng)前的GHZ（1GHZ=10^3MHZ=10^6KHZ= 10^9HZ）。

通常來(lái)講，在同系列微處理器，主頻越高就代表計(jì)算機(jī)的速度也越快，但對(duì)于不同類(lèi)型的處理器，它就只能作為一個(gè)參數(shù)來(lái)作參考。另外CPU的運(yùn)算速度還要看CPU的流水線(xiàn)的各方面的性能指標(biāo)。由于主頻并不直接代表運(yùn)算速度，所以在一定情況下，很可能會(huì)出現(xiàn)主頻較高的CPU實(shí)際運(yùn)算速度較低的現(xiàn)象。因此主頻僅僅是CPU性能表現(xiàn)的一個(gè)方面，而不代表CPU的整體性能。

如何看內(nèi)存運(yùn)行頻率多少

第一步 首先按下win+R鍵打開(kāi)運(yùn)行。

第二步 在運(yùn)行中輸入cmd后點(diǎn)擊“確定”。

第三步 在命令提示符中輸入“wmic memorychip”。

第四步 輸入完按回車(chē)鍵，即可看到內(nèi)存條型號(hào)。

怎么查看內(nèi)存運(yùn)行頻率

1、組不組雙通道，和查看并設(shè)置頻率毫無(wú)關(guān)系?！　?/p>

2、查看，可以用軟件。比如魯大師或aida64，還有cpu-z，都是常用的工具?！　?/p>

3、設(shè)置頻率，需要進(jìn)bios里。不同的bios，界面不一樣，筆記本和品牌機(jī)一般不能設(shè)，兼容機(jī)通常都會(huì)有memory的速度設(shè)置，默認(rèn)值一般是auto或by spd，改成自己需要的數(shù)值即可。不過(guò)，不建議改，因?yàn)檫@個(gè)涉及到電腦的穩(wěn)定性，一般按默認(rèn)是最好的?！　?

如何看內(nèi)存運(yùn)行頻率高低

第一，可以選擇看內(nèi)存表面的標(biāo)注，一般內(nèi)存條在出廠的時(shí)候都是會(huì)標(biāo)注上內(nèi)存的容量和頻率的，購(gòu)買(mǎi)新內(nèi)存或者是電腦的時(shí)候可以取出來(lái)看一下。只需要看下內(nèi)存表面的銘牌標(biāo)注即可。一些內(nèi)存的頻率標(biāo)注在標(biāo)簽下面，可以撕開(kāi)看一下。

第二，可以在開(kāi)機(jī)的時(shí)候可以查看電腦的自檢信息，電腦在重啟或者是開(kāi)機(jī)自檢的時(shí)候可以顯示各個(gè)硬件的詳細(xì)信息，此時(shí)朋友們就可以看到內(nèi)存的頻率和容量等等?？梢試L試在 電腦開(kāi)機(jī) 檢測(cè)到第二個(gè)畫(huà)面的時(shí)候按pause鍵暫停，此時(shí)就可以查看到內(nèi)存頻率情況?！　?/p>

怎么看內(nèi)存運(yùn)行在什么頻率

1.計(jì)算法

①打開(kāi)電腦，然后從開(kāi)始菜單中打開(kāi)“運(yùn)行”，也可以直接使用【W(wǎng)in + R】組合快捷鍵打開(kāi)，然后在打開(kāi)后面鍵入：cmd ，完成后按回車(chē)鍵或者“確定”進(jìn)入，如下圖所示。

②在打開(kāi)的cmd命令框操作中，鍵入命令：wmic memphysical get maxcapacity （完成后，按回車(chē)鍵運(yùn)行），之后就可以得到如下一個(gè)數(shù)值的結(jié)果，如下圖。

③最后再打開(kāi)計(jì)算器，將查詢(xún)到的數(shù)值除以1024，最終得出的結(jié)果就是主板最大能夠支持的內(nèi)存。

2.查看主板參數(shù)

如果需要通過(guò)主板參數(shù)查看主板支持多大內(nèi)存，這種方法需要先知道電腦主板的型號(hào)，然后根據(jù)型號(hào)去網(wǎng)上查看主板參數(shù)信息。

①查看主板型號(hào)方法也比較簡(jiǎn)單，大家可以借助魯大師等硬件檢測(cè)工具，快速獲悉，如下圖所示。

②有些筆記本主板型號(hào)比較特別，比較難查找參數(shù)，一般建議大家用方法一.而臺(tái)式電腦主板參數(shù)比較好查，主要了解主板芯片組即可查詢(xún)，比如B85主板，一般最大可以支持16GB內(nèi)存，如下圖所示。

怎樣查看內(nèi)存運(yùn)行頻率

查看電腦運(yùn)行內(nèi)存幾個(gè)G很容易看，首先我們區(qū)分好什么是硬盤(pán)內(nèi)存和運(yùn)行內(nèi)存。在我的電腦或者計(jì)算機(jī)中。所存在的盤(pán)符的容量是硬盤(pán)的容量。

而查看運(yùn)行內(nèi)存容量可以通過(guò)以下幾種方法：

方法一通過(guò)CMD查詢(xún)

按下windows+R鍵，打開(kāi)運(yùn)行窗口。

在“打開(kāi)”處輸入“cmd"。

按下enter鍵，打開(kāi)DOS窗口。

輸入命令：systeminfo

按下enter鍵，得到大量系統(tǒng)信息。

找到“物理內(nèi)存總量”，此處的值即為實(shí)際使用的內(nèi)存大小。

方法二任務(wù)管理器

1.在電腦屏幕下方空白處導(dǎo)航欄右鍵任務(wù)管理器

2.找到性能選項(xiàng)，一般電腦都是4G內(nèi)存或8G內(nèi)存